Team MaCEPV - Materials for electronic and photovoltaic devices

Implanter EATON 200 kV

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Figure 1 : Terminal haute tension

L’implanteur 200 kV est un implanteur moyen courant EATON 200 MC (Fig. 1). Il permet d’accélérer des ions jusqu’à la masse 115 (In) à des tensions comprises entre 10 et 200 kV. Il est équipé d’un aimant d’analyse pour la sélection en masse après une pré-accélération de 20 kV. Cet implanteur est principalement destiné à l’usage des chercheurs du Laboratoire mais une activité de service à l’intention d’autres laboratoires ou d’industriels est également assurée. Les demandes peuvent simplement être adressées par courriel. Outre du temps de faisceau, le Laboratoire propose différents équipements pour la préparation, le recuit ou l’analyse des échantillons.



Caractéristiques techniques

Figure 2 : Faisceau après l’extraction de la source d’ions
  • Tension d’accélération : 10 à 200 kV
  • Énergie des ions : égale au produit de la tension d’accélération par la charge des ions, soit 10-200 keV pour des ions de charge unité
  • Source : Freemann équipée d’un four pour vaporiser les espèces solides
  • Faisceaux disponibles : éléments solides et gazeux jusqu’à la masse 115 (Fig. 2)
  • Courants : quelques centaines de µA
  • Taille du faisceau : 5 mm
  • Balayage : électrostatique sur une surface pouvant aller jusqu’à 10 cm x 10 cm
  • Température d’implantation : - 200 °C à + 600 °C
  • Chambre d’implantation : commune avec la ligne de faisceau de l’accélérateur 4 MV


Principales utilisations

Figure 3 : Chambre d’implantation et pupitre de commande

L’implanteur 200 kV est essentiellement utilisé pour : doper les semi-conducteurs comme le silicium ou le SiC avec du bore, du phosphore, de l’arsenic ou de l’aluminium (Fig. 3) former des nanostructures de silicium, de germanium, de cobalt, de nickel, de zinc ou de tellure dans une matrice de silice implanter de l’hélium, du 30Si ou des éléments métalliques dans les semi-conducteurs comme Si pour étudier les phénomènes de piégeage et de diffusion d’impuretés créer des couches enterrées sous la surface ou des couches oxydées et passivées dans les métaux et les semi-conducteurs modifier les propriétés électroniques, optiques, magnétiques ou mécaniques des semi-conducteurs.