« Accueil » : différence entre les versions
Aucun résumé des modifications |
Aucun résumé des modifications |
||
Ligne 44 : | Ligne 44 : | ||
Les travaux de recherche de l’équipe MaCEPV sont divisés en 4 thèmes génériques, mais avec des interactions assez fortes entre elles :<br> |
Les travaux de recherche de l’équipe MaCEPV sont divisés en 4 thèmes génériques, mais avec des interactions assez fortes entre elles :<br> |
||
''T1. [[Matériaux et concepts pour le photovoltaïque inorganique]]''<br> |
''T1. [[Matériaux et concepts pour le photovoltaïque inorganique]]''<br> |
||
''T2. [[Composants électroniques et photovoltaïques |
''T2. [[Composants électroniques et photovoltaïques organiques]]''<br> |
||
''T3. [[Procédés assistés par faisceaux |
''T3. [[Procédés assistés par faisceaux d’ions]]''<br> |
||
''T4. [[Modélisation physique du transport de charge]]''<br> |
''T4. [[Modélisation physique du transport de charge]]''<br> |
||
|} |
|} |
Version du 21 décembre 2012 à 14:21
Recherche
Publications et valorisation |
L’équipe MaCÉPV regroupe des activités de recherche multidisciplinaire allant de l’élaboration des matériaux par différentes voies physiques et chimiques à la réalisation de composants élémentaires (diodes, transistors, mémoires, cellules photovoltaïques), en passant par la modélisation du transport de charges dans ces composants. Plus spécifiquement, les investigations concernent le développement de procédés innovants pour cellules photovoltaïques sur silicium de première (multicristallin, ruban) et de deuxième générations (couches minces); l’élaboration et la caractérisation de matériaux oxyde/nitride fonctionnalisés et de nanomatériaux pour la conversion photonique; l’étude et l’optimisation de transistors et de cellules photovoltaïques organiques; l’utilisation de faisceaux d’ions pour le développement de composants électroniques innovants exploitant les nanocristaux semi-conducteurs ou métalliques pour les mémoires ou les transistors ; le développement de modèles et d’outils de simulation du transport de charge dans les composants électroniques et photovoltaïques. |