logo université de Strasbourg logo CNRS logo INSA Strasbourg logo ENGEES

Équipe MATISEN: Matériaux pour les technologies de l’information, les capteurs et la conversion d’énergie.

« Mespublications » : différence entre les versions

De Équipe MATISEN: Matériaux pour les technologies de l’information, les capteurs et la conversion d’énergie.
Aller à la navigation Aller à la recherche
Aucun résumé des modifications
Aucun résumé des modifications
Ligne 141 : Ligne 141 :
0.611, SJR : 0.538&#8239;)</span></font></font></p>
0.611, SJR : 0.538&#8239;)</span></font></font></p>
<p style="margin-top: 0.14in; margin-bottom: 0.07in; line-height: 100%" align="left">
<p style="margin-top: 0.14in; margin-bottom: 0.07in; line-height: 100%" align="left">
<font face="comic, serif"><font style="font-size: 11pt" size="2"><b>
* Articles dans des revues internationales avec comité de lecture répertoriées dans les bases de données internationales</b></font></font></p><p style="margin-top: 0.14in; margin-bottom: 0.07in; line-height: 100%" align="left">
<font face="calibri, serif"><font style="font-size: 15pt" size="2"><b>Année
<font face="calibri, serif"><font style="font-size: 15pt" size="2"><b>Année
2009</b></font></font></p>
2009</b></font></font></p>
<p style="margin-top: 0.14in; margin-bottom: 0.07in; line-height: 100%" align="left">
<font face="comic, serif"><font style="font-size: 11pt" size="2"><b>
* Articles dans des revues internationales avec comité de lecture répertoriées dans les bases de données internationales</b></font></font></p>
<p style="margin-left: 0.79in; text-indent: -0.79in; margin-bottom: 0in; line-height: 100%" align="justify">
<p style="margin-left: 0.79in; text-indent: -0.79in; margin-bottom: 0in; line-height: 100%" align="justify">
<font face="Arial, serif"><font style="font-size: 8pt" size="1"><b>[2-MUHF09]</b></font></font><font face="Arial, serif"><font style="font-size: 8pt" size="1"><span style="font-weight: normal"> </span></font></font><font face="Arial, serif"><font style="font-size: 9pt" size="2">M.
<font face="Arial, serif"><font style="font-size: 8pt" size="1"><b>[2-MUHF09]</b></font></font><font face="Arial, serif"><font style="font-size: 8pt" size="1"><span style="font-weight: normal"> </span></font></font><font face="Arial, serif"><font style="font-size: 9pt" size="2">M.
Ligne 154 : Ligne 155 :
48:034002_1--13, 2009. (&#8239;IF : 0.984, SNIP : 0.85, SJR : 0.485&#8239;)</span></font></font></p>
48:034002_1--13, 2009. (&#8239;IF : 0.984, SNIP : 0.85, SJR : 0.485&#8239;)</span></font></font></p>
<p style="margin-top: 0.14in; margin-bottom: 0.07in; line-height: 100%" align="left">
<p style="margin-top: 0.14in; margin-bottom: 0.07in; line-height: 100%" align="left">
<font face="calibri, serif"><font style="font-size: 15pt" size="2"><b>Année
2004</b></font></font></p><p style="margin-top: 0.14in; margin-bottom: 0.07in; line-height: 100%" align="left">
<font face="comic, serif"><font style="font-size: 11pt" size="2"><b>
<font face="comic, serif"><font style="font-size: 11pt" size="2"><b>
* Communications à des manifestations internationales avec actes et comité de lecture</b></font></font></p>
* Communications à des manifestations internationales avec actes et comité de lecture</b></font></font></p>
<p style="margin-top: 0.14in; margin-bottom: 0.07in; line-height: 100%" align="left">
<font face="Arial, serif"><font style="font-size: 10pt" size="2"><b>Année
2004</b></font></font></p>
<p style="margin-left: 0.79in; text-indent: -0.79in; margin-bottom: 0in; line-height: 100%" align="justify">
<p style="margin-left: 0.79in; text-indent: -0.79in; margin-bottom: 0in; line-height: 100%" align="justify">
<font face="Arial, serif"><font style="font-size: 8pt" size="1"><b>[4-UZB04]</b></font></font><font face="Arial, serif"><font style="font-size: 8pt" size="1"><span style="font-weight: normal"> </span></font></font><font face="Arial, serif"><font style="font-size: 9pt" size="2">W.
<font face="Arial, serif"><font style="font-size: 8pt" size="1"><b>[4-UZB04]</b></font></font><font face="Arial, serif"><font style="font-size: 8pt" size="1"><span style="font-weight: normal"> </span></font></font><font face="Arial, serif"><font style="font-size: 9pt" size="2">W.

Version du 10 mars 2017 à 12:53

Année 2016

  • Brevets / Licences logicielles

[10-UB16] W. Uhring, J. Bartringer. SPIRIT version 2016. Dépôt de logiciel n° IDDN.FR.001.280010.000.R.P.2016.000.10000, le 1 juillet 2016.

Année 2015

  • Communications à des manifestations internationales avec actes et comité de lecture

[4-DTUM15] F. Dadouche, T. Turko, W. Uhring, I. Malass, J. Bartringer, J-P. Le Normand. Design Methodology of TDC on Low Cost FPGA Targets, dans SENSORCOMM 2015, ISBN: 978-1-61208-425-1, pp. 29-34, IARIA (Eds.), Venise, Italy, août 2015.

Année 2014

  • Articles dans des revues internationales avec comité de lecture répertoriées dans les bases de données internationales

[2-PBS14] P. Prathap, J. Bartringer, A. Slaoui. Analysis of laser doping of silicon using different boron dopant sources, Applied Surface Science, Elsevier, Vol. 302:268-274, 2014. ( IF : 3.15, SNIP : 1.236, SJR : 0.93 )

Année 2013

  • Articles dans des revues internationales avec comité de lecture répertoriées dans les bases de données internationales

[2-LBAB13] S. Laidoudi, A. Bioud, A. Azizi, J. Bartringer, G. Schmerber, A. Dinia. Growth and characterization of electrodeposited Cu2O thin films, Semiconductor Science and Technology, Institute of Physics: Hybrid Open Access, Vol. 28(11):0268-1242, octobre 2013. ( IF : 2.098, SNIP : 0.894, SJR : 0.676 )

[2-PQMB13] S. Parola, É. Quesnel, V. Muffato, J. Bartringer, A. Slaoui. Influence of the embedding matrix on optical properties of Ge nanocrystals-based nanocomposite, Journal of Applied Physics, American Institute of Physics (AIP), Vol. 113:053512_1--8, 2013. ( IF

2.101, SNIP : 0.755, SJR : 0.603 )

  • Communications à des manifestations internationales avec comité de lecture, avec résumés ou sans actes

[6-SBZM13] T. Schutz-Kuchly, J. Bartringer, J. Zelgowski, F. Mermet, A. Bahouka, M. Pawlik, J-P. Vilcot, E. Delbos, A. Slaoui. UV and IR laser induced ablation of SIN:H, AL2O3/SIN:H, A-SI:H/SIN:H, dans Photovoltaic technical conference - Thin film & Advanced silicon solutions 2013, Aix en Provence, France, mai 2013.

Année 2012

  • Articles dans des revues internationales avec comité de lecture répertoriées dans les bases de données internationales

[2-PQMG12] S. Parola, É. Quesnel, V. Muffato, L. Guetaz, H. Szambolics, J. Bartringer, A. Slaoui. Structural properties of Ge nanocrystals synthesized by a PVD nanocluster source, Journal of Nanoparticle Research, Springer Verlag, Vol. 14:1085_1--9, 2012. ( IF : 2.101, SNIP : 0.665, SJR : 0.583 )

  • Communications à des manifestations internationales avec actes et comité de lecture

[4-SPB12] A. Slaoui, P. Prathap, J. Bartringer. Laser doping from spin-on sources for selective emitter silicon solar cells, dans SPIE Optics+Photonics 2012, SPIE Proceedings, ISBN 9780819491909, Vol. 8473, E.W. Reutzel (Eds.), San Diego, United States, août 2012.

  • Communications à des manifestations internationales avec comité de lecture, avec résumés ou sans actes

[6-PBS12] P. Prathap, J. Bartringer, A. Slaoui. Selective emitter formation by laser doping of spin-on sources, dans European Material Research Society (E-MRS) Spring Conference, Symposium on Laser Materials Processing for Micro and Nano Applications, Strasbourg, France, mai 2012.

Année 2011

  • Communications à des manifestations internationales avec actes et comité de lecture

[4-FSBB11] A. Focsa, A. Slaoui, R. Bernard, J. Bartringer, F. de Moro, C. Riune, E. Jolivet, C. Belouet, B. Bazer-Bachi, M. Lemiti. Correlation of growth parameters of RST ribbons on the minority carrier lifetime and solar cells, dans 26th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (26th EU PVSEC), ISBN 3-936338-27-2, pp. 1742--1746, Hamburg, Germany, septembre 2011.

Année 2010

  • Articles dans des revues internationales avec comité de lecture répertoriées dans les bases de données internationales

[2-ARGM10] S. Al-Harthi, K. Revathy, F. Gard, A. Mesli, A. George, J. Bartringer, M. Mamor, N. Unnikrishnan. Self-assembly of silver nanoparticles and multiwall carbon nanotubes on decomposed GaAs surfaces, Nanoscale Research Letters, SpringerOpen, Vol. 5:1737--1743, 2010. ( IF : 2.584, SNIP : 0.611, SJR : 0.538 )

Année 2009

  • Articles dans des revues internationales avec comité de lecture répertoriées dans les bases de données internationales

[2-MUHF09] M. Madec, W. Uhring, É. Hueber, J-B. Fasquel, J. Bartringer, Y. Hervé. Methods for improvement of spatial light modulator image rendering, Optical Engineering, Society of Photo-optical Instrumentation Engineers (SPIE), Vol. 48:034002_1--13, 2009. ( IF : 0.984, SNIP : 0.85, SJR : 0.485 )

Année 2004

  • Communications à des manifestations internationales avec actes et comité de lecture

[4-UZB04] W. Uhring, V. Zint, J. Bartringer. A low-cost high-repetition-rate picosecond laser diode pulse generator, dans Photonics Europe 2004, Proceedings of the Society of Photo-optical Instrumentation Engineers, Vol. 5452:583--590, edited by D. Lenstra, G. Morthier, T. Erneux, M. Pessa (Eds.), Strasbourg, France, avril 2004.